How Custom Base Die Drives HBM Bandwidth, and Who Stands to Benefit

HBM4 頻寬瓶頸與 PHY 設計挑戰：三大記憶體廠的邏輯 Base Die 之爭

在 HBM3e 認證失利後於 HBM4 藉由內部 4nm 邏輯製程設計 Base Die 逆轉情勢，宣稱引腳速率可推進至 13 Gbps。Samsung 憑藉 4nm 邏輯製程優勢在 HBM4 客製化 Base Die 取得速率領先，有望在 Rubin 供應中收復市佔

$SKHY 中期

HBM4 採用台積電 12nm 製程限制了極限頻寬，並傳出造成 Rubin 出貨遞延，目前正與 $INTC 合作尋求 Intel 3-T 作為次世代 Base Die 雙來源。SK Hynix 雖居 HBM 龍頭，但 Base Die 邏輯製程路線落後迫使其引進 $INTC 雙來源分散風險

$MU 中期

HBM4 初期因選擇 DRAM 製程設計 Base Die 而進度落後，但在修正後已與 $SKHY 和 $005930.KS 一同通過 $NVDA Rubin 認證。Micron 雖在 Base Die 製程路線落後，但已成功取得 Rubin 資格重返三強競爭行列

$INTC 中期

獲 $SKHY 選定為次世代 HBM Base Die 雙來源夥伴，預計以具備 TSV 的 Intel 3-T 製程切入供應鏈。Intel 藉由 3-T 製程與先進封裝能力切入 HBM Base Die 代工，在記憶體轉型浪潮中獲取晶圓代工新契機

記憶體中期

Rubin Ultra 將 HBM 降規至 8-high 顯示效能與堆疊高度脫鉤，單純堆疊 DRAM 晶粒的暴力解法因成本過高面臨瓶頸。堆疊降規使記憶體製造商面臨 16/20 層混合鍵合溢價受損的風險，產業焦點全面轉向由邏輯 Base Die 驅動的頻寬效能

$NVDA 中期

發表 NVHBM 打造客製化 Base Die，宣稱頻寬較 HBM4e 提升 30%、每引腳速率突破 20 Gbps 且功耗降低 15%，並釋放 XPU 晶粒空間供運算核心使用。NVHBM 是 $NVDA 掌控記憶體架構的特洛伊木馬，透過自研 Base Die 擺脫傳統記憶體廠限制並擴大運算優勢

半導體中期

隨著頻寬瓶頸轉向高速 PHY 設計，$NVDA、$AVGO、$AMD 與 $MRVL 等具備先進邏輯電路設計能力的晶片巨頭迎來龐大契機。客製化 Base Die 驅動 HBM 價值從純 DRAM 製造轉移至具備高速 PHY 設計能力的邏輯 IC 設計商