先進封裝

次世代晶片平台對 先進製程 與高階封裝產能高度依賴，促使台積電 $TSM 等代工龍頭與晶片原廠深度連動資本支出規劃。透過長期承諾與資本合作綁定上游先進產能確保準時交付，但需求預測若有偏差將引發整條供應鏈產能錯置

HBM4 與 HBM4E 多層堆疊架構導致內部鍵合缺陷（buried defects）若在最終封裝才發現會造成整包報廢，促使 DFI 可檢測性設計成為必要規範。晶粒必須兼顧 X 光結構辨識度與耐輻射暴露。多層堆疊封裝複雜度促使供應鏈提早將可製造性與良率責任寫進晶粒設計規格

最新型 AI 伺服器發熱與用電量倍增，驅使運算核心必須深度結合高頻寬記憶體與 CoWoS 先進封裝 技術。先進封裝與機櫃級散熱電力整合已成為自研 ASIC 晶片能否實際落地運行的關鍵門檻

HBM、先進邏輯與 先進封裝 資本支出維持強勁，加上 ICAPS 成熟製程稼動率回升與庫存去化告終帶動設備需求由窄變寬。半導體設備週期受 AI 擴建與成熟市場復甦雙重驅動，整體產業景氣上行能見度已延伸至 2027 年

受 AI 與 記憶體 HBM 需求帶動，後段製程複雜度大幅提升使先進封裝設備投資持續加速。先進封裝從前段製程延伸至後段高階堆疊，已成為半導體設備商成長增速最高的核心引擎

AI 晶片與製造需求帶動台日韓半導體供應鏈滿載，原物料上漲與提前備貨潮推升產業擴張動能。半導體晶圓製造與關鍵元件景氣循環持續向上，強勁的資本支出提供中長線產業防護盾

受 AI 與 記憶體 HBM 需求帶動，後段製程複雜度大幅提升使先進封裝設備投資持續加速。先進封裝從前段製程延伸至後段高階堆疊，已成為半導體設備商成長增速最高的核心引擎

imec 於 Semicon Taiwan 提出 3D 整合光學晶片互連架構，將光學層直接立體堆疊於 XPU 與 HBM 下方。該架構預期在頻寬密度與每位元能耗上相較共封裝光學產生數量級突破。從 2.5D 中介層邁向 3D 立體光學堆疊，是突破晶粒間資料傳輸物理極限的終極技術路徑

台積電 SoIC 等邏輯晶片 3D 混合鍵合按計畫推進，僅 記憶體 層間垂直堆疊延後。邏輯晶片封裝進度不變，先進封裝 趨勢確立但記憶體端採舊工法漸進過渡

晶圓代工與先進封裝產能供不應求，提供 AI 供應鏈中最穩健之收費站邏輯。先進封裝需求無虞，逢市場拉回時可適度逢低布局

全球 AI 半導體開發者超過 150 家，但晶片能否順利出貨完全受限於 先進封裝 產能瓶頸。先進封裝產能緊張使具備資本實力與鎖單能力的龍頭業者持續保持供給優勢

無論客製化晶片設計業者能否完成開發，Google TPU 產出最終仍卡在 先進封裝 CoWoS 產能與 OSAT 瓶頸。OSAT 封裝產能是決定 2027 年 TPU 實際交付量的關鍵限制點

CoWoS 封裝持續為 GPU 出貨的核心瓶頸，晶片需求強勁直接推升封裝產能利用率與長期擴產規劃。先進封裝 瓶頸尚未緩解，為算力晶片交付與供應鏈鏈條中最關鍵的產能約束

美光等記憶體巨頭於 Hot Chips 聚焦下一代 HBM 散熱與先進封裝路線。先進封裝與冷卻技術為 HBM 效能突破的關鍵，亦構成陸廠無法跨越的競爭壁壘

採用邏輯製程的 Custom Base Die 能顯著縮減 D2D PHY 實體面積，進而釋放 XPU 計算面積並於 Base Die 整合 SRAM 與 RAS 監測單元。底層晶片邏輯化大幅改善晶粒間連線效率與運算單元佈局空間

SK 海力士 MR-MUF 與三星 HPB 均展示專屬散熱模組以因應高速傳輸熱密度，對比美光僅靠電路改善顯得較不具優勢；此外 $INTC EMIB 封裝亦已被部分客戶用於整合海力士 HBM。散熱架構與微凸塊至無凸塊混合鍵合演進成為先進封裝競爭的核心重點

先進封裝全年成長展望連續三次上修至 70%+，面板級封裝卡位未來大面積 AI 晶片需求。先進封裝與 2nm/3nm 資本支出成功抵銷成熟製程下滑缺口

系統級晶片整合驅動封裝技術演進，帶動先進封裝設備需求顯著上修。HBM 層數提升與面板級封裝趨勢使設備價值量持續提高，先進封裝成為半導體設備成長最明確的核心主線

CPO 共封裝光學發展出現產業鏈分歧，$NVDA 與 $AVGO 指出 CPO 已經量產，但封測端 $3711.TW 表明生態系尚未成熟。CPO 進入先進封裝商業化的時程在晶片廠與封測廠之間仍存在認知分歧

半導體巨頭加速先進封裝產能建置以應對 AI 晶片需求，英特爾愛爾蘭晶圓製造基地升級即佔今年 Capex 四分之一以上。先進封裝為半導體資本支出核心，產能擴充確保長期競爭力

AI 晶片高功耗特性推動細電容（SiCap）從矽中介層（Silicon Interposer）進一步嵌入 2.5D 與 3D 封裝載板。細電容近晶片供電優勢無可替代，愛普與力積電產能佈局證實先進封裝產業長線高成長

高階 記憶體 與先進晶圓需求拉升，矽晶圓產能利用率恢復滿載並重現產能緊俏現象。晶圓業者出貨動能伴隨終端記憶體超級循環持續向上

面板級扇出型封裝 (FPO/PLP) 具備大面積與成本優勢，面板廠利用舊世代產線轉型切入半導體後段封裝。面板級封裝成為先進封裝擴產重要補充方案，為低價轉機股注入長期價值重估動能

Intel 聘用前 SK Hynix 先進封裝資深主管領軍後端工程，加上 Apple 合作消息，意味 Intel Foundry 在先進封裝能力建設上有新動力。先進封裝人才從記憶體大廠流向邏輯 Foundry，是 Intel 追趕 $TSM CoWoS 的具體行動

封裝尺寸愈大、玻璃核心對有機載板的優勢愈明顯（兩條 Stress/Coplanarity 曲線隨 CoW Size 增大而發散）。AI 封裝往 Rubin、Rubin Ultra 持續放大，有機載板先撞牆，玻璃核心從 nice-to-have 變成沒有它就做不出來。CoP 是把蛋糕做大，Glass Core 是把地基重蓋；市場追逐前者，超額報酬在後者

玻璃核心三層結構（玻璃核心上下各黏合一層 ABF），ABF 並未被玻璃取代，而是共存於同一封裝結構中；被取代的是矽中介層。先進封裝 升級反而擴大 ABF 用量，ABF 缺貨循環（2026–2028 缺口持續擴大）與玻璃核心 BOM 雙線受益。玻璃核心不殺 ABF，ABF 反而是玻璃核心 BOM 的內建組件，兩段故事疊加而非互斥

ABF 三雄的長線替代風險被市場低估；玻璃核心量產（基準 4Q28–1Q29）後有機核心需求遭侵蝕。短線 ABF 缺貨邏輯成立，但別忘長線是被替代的那一端。ABF 三雄是「2026–2028 過渡期吃緊 / 2029 後結構性壓力」雙面標的，時機判斷比方向判斷更重要

Advanced packaging is becoming the critical bottleneck and differentiator for AI accelerator performance.

Glass substrates represent the next technological transition in advanced packaging to support even larger chiplets.