擴產 30% 仍供不應求？終於談妥漲價？舊機升級業務爆發？財報解剖: ASML

$ASML Q3 財報拆解：毛利率突破指引上限與 73.5% 營運槓桿，本業定價權與獲利結構質變

—ASML Q3 營收 116.62 億歐元符市場預期，毛利率達 57.5% 突破指引上限，主要由高階產品組合改善、規模效益與舊機台升級業務推動
—稀釋每股盈餘 €12.93 包含 Mistral AI 股權投資評價利益 5.097 億歐元，扣除稅後業外影響後常態化 Diluted EPS 約為 €11.81，核心獲利季增仍逾 55%

$ASML ↑看多中期

Q3 營收達 116.62 億歐元，毛利率衝上 57.5% 突破指引上限，新增營收獲利轉換率高達 73.5%，扣除 Mistral AI 業外評價利益後核心 EPS 仍跳升至 €11.81。營業利益率由 Q1 的 36% 攀升至 44.4%，展現軟體級營運槓桿與定價能力。毛利率突破預期與高毛利升級業務動能，反映定價權與獲利體質質變，將驅動市場重新上調獲利模型與估值天花板

半導體 ↑看多中期

先進設備商獲利動能強勁，日常營業費用持穩下營運槓桿全面發酵，營業利益率逐季墊高並有望突破 46%。在機台漲價效應尚未正式生效前即靠高階產品組合與舊機升級推升利潤率。先進半導體設備龍頭在強勁擴張週期中展現顯著定價權，本業獲利成長斜率遠高於營收擴張

設備出貨與記憶體動能：ArFi 出貨大增，三大原廠 HBM 擴產打破單一買家壟斷

—Q3 曝光機出貨 121 台季增 30 台，EUV 銷量持穩，主要成長由二當家 ArFi 浸潤式 DUV 出貨由 23 台跳升至 40 台所帶動
—前三季記憶體設備累計銷售額已超越 2025 全年總和，占系統銷售 46%，HBM 晶片面積達一般 DRAM 的 2 至 3 倍且需更多層 EUV 曝光

$ASML ↑看多長期

過去先進製程高度依賴 $TSM 單一超級買家，如今 $MU、$SKHY 與三星為爭搶 HBM 市占同步搶購 EUV 與高階 DUV，買家多元化賦予重新談妥新機漲價的談判籌碼。HBM 是吃晶圓怪獸，物理微縮對曝光機的龐大需求屬於結構性轉變。三大記憶體原廠競逐 HBM 打破單一客戶壓抑，為曝光設備創造兼具量價齊揚的長期利多

記憶體 ↑看多長期

前三季記憶體曝光設備累計採購額已超越 2025 全年，HBM 單晶片面積為傳統 DRAM 的 2 至 3 倍且需要多層 EUV 曝光，推升設備消耗量。三大廠採先簽長約再擴產模式，過剩風險相對傳統週期受控。HBM 物理結構對晶圓產能的龐大消耗，帶來實質且結構性的先進設備擴產需求

次世代曝光與量測進展：台積電主導 12 吋大光罩聯盟鎖定 High-NA，YieldStar 550 翻倍成長

—High-NA EUV 客戶驗證進度明朗，$INTC 累計曝光突破百萬片晶圓，三星預計 2028 年導入量產，台積電則規劃於 2030 年導入
—$TSM 主動要求組建產業聯盟推動 12 吋大光罩規格升級，預計 2031 年試產、2033 年量產，消除曝光拼接限制並使機台生產力提升逾 40%
—新世代 YieldStar 550 量測設備生產力提升 60%，解決晶圓廠對位檢查良率瓶頸與內部組裝產能限制，未來數年需求看翻倍

先進製程 ↑看多長期

$TSM 帶頭攜手三大晶圓廠推動 12 吋 EUV 大光罩聯盟，化解 High-NA 單次曝光面積減半與拼接良率疑慮，確認次世代曝光機導入時程。YieldStar 550 同步解鎖對位與量測瓶頸。台積電主動主導光罩規格升級掃除技術障礙，確立 High-NA 作為 2030 年後先進製程的核心地位

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