記憶體上升週期延續至 2027 年：DRAM 轉向伺服器、eSSD 與 HDD 供應全面緊俏 —記憶體與儲存供應吃緊態勢明確延續至 2027 年；目前 DRAM 週轉庫存僅 20 週，遠低於 8 週平衡水位，原廠正積極將 bit 產能由 PC 端轉向 伺服器 DRAM。—雲端服務業者正積極鎖定至 2027 年的 eSSD 與硬碟供貨，其中硬碟交期依然長達 50 週。 記憶體 ↑看多 中期 DRAM 目前週轉天數達 20 週、遠吃緊於 8 週平衡線，原廠加速將產能移往 伺服器 端，雲端巨頭亦持續鎖定至 2027 年的 eSSD 與硬碟產能。記憶體與儲存設備供需失衡延續至 2027 年，原廠產能傾斜與長交期支撐整體板塊處於明確上升循環
三星電子 3Q26 初步財報破紀錄：記憶體超級循環支撐獲利，但終端業務受成本擠壓 —三星電子公布 3Q26 獲利指引，營業利益年增 782.5% 至 107.4 兆韓元，首次突破百兆韓元大關；營收年增 126.6% 達 195 兆韓元。—延續美光 9 月強勁財報，傳統 DRAM 價格持續走揚，且 HBM4 受惠 $NVDA Vera Rubin 需求已開始實質貢獻。—然而記憶體成本高漲反向壓迫三星自家智慧型手機與家電事業，預期終端事業部門虧損將進一步擴大。 $005930.KS ↑看多 短期 營業利益暴增 782.5% 突破百兆韓元，證實傳統 DRAM 報價上揚與 HBM4 供貨 $NVDA Vera Rubin 帶來強勁動能。雖然記憶體漲價壓縮自家手機與家電部門獲利，但 半導體 業務的超級循環紅利足以驅動整體獲利創下歷史新高 記憶體 ↑看多 短期 延續美光強勁財報趨勢，三星初步財報突破百兆韓元大關印證傳統 DRAM 報價持續上揚，且 HBM4 出貨已顯著貢獻營收。三星爆發性指引確立記憶體上升循環遠未結束，上游原廠獲利正迎來結構性爆發
Terafab 晶圓代工格局：Musk 擬自主營運，$INTC 參與維持但 $TSM 角色受限 —Musk 表態 SpaceX 與 Tesla 計畫自行建造並營運 Terafab，雖坦言晶片製造是全球最困難的工作之一且需耗時數年摸索，但仍設定每年推進約 10 款晶片設計的目標。—英特爾執行長陳立武（Lip-Bu Tan）表示不會退出 Terafab 專案；市場分析在美國政府成為英特爾股東背景下，英特爾被大幅取代機率極低。—Musk 針對台積電參與傳聞降溫，表示台積電頂多轉租部分 Terafab 廠房，尤其台積電本身已在亞利桑那州興建多座晶圓廠。 $INTC ↑看多 中期 執行長陳立武表態將持續參與 Terafab 專案，且在美國政府入股的背景下外部合作地位穩固。Terafab 將成為英特爾代工服務最關鍵的外部指標客戶與代工野心支柱，受外部競爭者取代的風險偏低 $TSM 中期 Musk 明確限制台積電在 Terafab 專案角色僅止於可能的廠房轉租，加上台積電已在亞利桑那投入巨資擴廠。雖然失去 Terafab 主導權，但本週財報聚焦 2nm 爬坡稀釋與 CoWoS 產能。因 Terafab 合作深度受限但自身先進製程接單滿載，在此事件上維持中性看法 先進製程 中期 Musk 宣布 Tesla 與 SpaceX 將自行營運 Terafab 並年推 10 款晶片設計，凸顯頂級客戶自主掌握產能的強烈企圖心。然而晶圓製造技術壁壘極高，英特爾與台積電在 Terafab 的角色分工與後續 A16、A14 及 14A 競爭仍在演變。先進製程代工版圖因新玩家介入增添變數，中長線產業格局尚待觀察
$AMD 訪韓綁定 3 至 5 年記憶體長約，或成三星晶圓代工談判籌碼 —超微執行長 Lisa Su 訪韓拜會三星電子與 $SKHY，確認 MI455 所需 HBM4 出貨正式啟動，並提出 3 至 5 年以上的長期供應鏈合作框架以因應短缺。—長約協議反映科技巨頭鎖定關鍵記憶體供應的常態化趨勢。—此舉亦可能影響代工格局：超微 CPU 與 GPU 目前高度依賴 $TSM，若能深化記憶體合作，市場推測三星可能在 2nm 代工談判中獲取更多籌碼。 $AMD ↑看多 中期 執行長親訪韓國推動與三星及 $SKHY 簽署 3 至 5 年長約，確保 MI455 所需 HBM4 出貨無虞。主動透過長約綁定緊缺記憶體產能有助降低供應鏈斷鏈風險，替後續高階 AI 晶片出貨提供明確能見度 記憶體 ↑看多 中期 科技巨頭為確保 HBM4 供應紛紛尋求簽署 3 至 5 年長約，印證高階記憶體短缺已成為 AI 晶片擴張的主要瓶頸。科技巨頭爭相簽署多年長約鞏固產能，凸顯高階記憶體原廠在供應鏈中的定價權與戰略價值持續提升