系統級摩爾定律：從電晶體微縮走向多材料先進封裝整合 —電晶體微縮在 2 奈米及 A16 以下面臨效能、功耗與成本瓶頸，運算極限不再取決於單一晶片電晶體密度，而取決於不同功能與材料的系統整合效率—先進封裝從 CoWoS 整合邏輯與 HBM、SoIC 垂直堆疊，逐步推進至 CPO 光電同封裝，成為多材料整合平台 先進封裝 長期 單一矽材料已無法同時滿足先進邏輯、高速光學、高功率散熱與量子控制的物理需求，促使產業從製程節點競賽轉向材料適配與整合技術。先進封裝 因而脫離傳統後段製造定位，晉升為系統架構核心。先進封裝正在從單純的晶片互連技術，演進為跨 CMOS、光學與化合物半導體的多材料系統整合平台
薄膜鈮酸鋰（TFLN）崛起：銜接 AI 資料中心光通訊與量子運算 —TFLN 突破關鍵在於轉化為可用半導體微影蝕刻加工之薄膜平台，將原本體積龐大的光學元件微縮至光子積體電路中—AI 與量子光學面臨相同的工程挑戰，即如何在無法單一晶圓製造的情境下，透過封裝整合最合適的功能材料 光通訊 長期 薄膜鈮酸鋰（TFLN）憑藉線性普克爾電光效應直接調變折射率，相較矽光子的電漿色散調變具備高速、低失真與低功耗優勢。隨著 AI 光學傳輸邁向每通道 400G 以上，TFLN 同時卡位資料中心光學 I/O 與量子運算控制。TFLN 在 AI 高速光通訊與量子光子學的交集定位，將促使兩大市場共享先進光學材料與封裝基礎設施